衍射光栅加工
衍射光栅加工
光栅及超结构加工
光栅及超结构加工
氮化硅光波导
氮化硅光波导
铌酸锂光波导加工
铌酸锂光波导加工
硅光波导
硅光波导
混合键合晶圆代工
混合键合晶圆代工
RDL晶圆加工
RDL晶圆加工
深硅刻蚀加工
深硅刻蚀加工
薄膜柔性电极加工
薄膜柔性电极加工
光子引线键合
光子引线键合
声学器件SAWBAW加工
声学器件SAWBAW加工
双光子3D打印
双光子3D打印
薄膜和厚膜热氧片
薄膜和厚膜热氧片
玻璃晶圆及高折率玻璃晶圆
玻璃晶圆及高折率玻璃晶圆
超薄晶圆
超薄晶圆
导电和半绝缘碳化硅晶圆
导电和半绝缘碳化硅晶圆
复合衬底
复合衬底
各类硅片及验证片
各类硅片及验证片
铌酸锂 钽酸铌 氟化钡
铌酸锂 钽酸铌 氟化钡
先进材料
先进材料
微纳图形代工服务
Micro-nano Pattern Foundry Service
反射光栅 步进式光刻  500nm
反射光栅 步进式光刻 500nm
光栅相位板 步进式光刻
光栅相位板 步进式光刻
硅光栅 激光直写
硅光栅 激光直写
透射光栅 2um 接触式光刻
透射光栅 2um 接触式光刻
透射光栅 步进式光刻 180nm
透射光栅 步进式光刻 180nm
透视光栅 反射光栅 加增透膜
透视光栅 反射光栅 加增透膜
案例1:Ta2O5-超结构
案例1:Ta2O5-超结构
案例2:Ta2O5 超结构
案例2:Ta2O5 超结构
案例3:Ta2O5 超结构
案例3:Ta2O5 超结构
案例4:GaN超结构
案例4:GaN超结构
案例5:GaN超结构
案例5:GaN超结构
案例6:GaN超结构
案例6:GaN超结构
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2,包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2,包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2 宏观图
上包层PECVD生长SiO2 ,PECVD生长800nmSiO2 宏观图
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,刻蚀选择比稳定达 1.5,6 英寸晶圆刻蚀均匀性<3%,一致性强
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,刻蚀选择比稳定达 1.5,6 英寸晶圆刻蚀均匀性<3%,一致性强
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,侧壁垂直度超 88°,形貌规整
氮化硅(SiN)ICP 刻蚀成型,侧壁垂直度超 88°,形貌规整
铌酸锂光波导加工
公司新闻
LN MOD带宽60Ghz
LN MOD带宽60Ghz
All-Pass微环Q值:1e6
All-Pass微环Q值:1e6
光栅耦合器损耗:8dB
光栅耦合器损耗:8dB
定向耦合器
定向耦合器
1×2MMI插损0.2dB
1×2MMI插损0.2dB
交叉波导损耗:0.02db
交叉波导损耗:0.02db
硅光波导
公司新闻
微环调制器-带宽:30Ghz
微环调制器-带宽:30Ghz
交叉波导损耗:0.028db per 个
交叉波导损耗:0.028db per 个
加热电极:TiN热电极
加热电极:TiN热电极
电光开关消光比:45dB
电光开关消光比:45dB
All-Pass微环Q:10的5次方
All-Pass微环Q:10的5次方
1×2MMI插损:0.043dB per 端
1×2MMI插损:0.043dB per 端
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
键合结果展示
RDL晶圆加工
公司新闻
TSV
TSV
Tall Cu Post
Tall Cu Post
Micro Bump
Micro Bump
Hybrid bonding
Hybrid bonding
Fan out
Fan out
Al-bondpad
Al-bondpad
案例1 深硅刻蚀
案例1 深硅刻蚀
案例2 深硅刻蚀
案例2 深硅刻蚀
案例3 深硅刻蚀
案例3 深硅刻蚀
案例4 深硅刻蚀
案例4 深硅刻蚀
案例5 深硅刻蚀
案例5 深硅刻蚀
案例6 深硅刻蚀
案例6 深硅刻蚀
案例1.MEMS工艺柔性电极
案例1.MEMS工艺柔性电极
案例2,叉指电极
案例2,叉指电极
案例3,叉指电极
案例3,叉指电极
案例4 MEMS工艺柔性电极
案例4 MEMS工艺柔性电极
案例5,高分子薄膜电极
案例5,高分子薄膜电极
案例6,高分子薄膜电极
案例6,高分子薄膜电极