晶圆对晶圆 混合键合 工艺流程：

晶圆预处理

第一步：上下表面抛光到超平整光滑的状态，介质层表面粗糙度小于0.5nm，Pad dishing小于5nm

第二步：上下对准，室温下活化介质层材料接触预键合，铜材料之间有间隙

第三步：高温退火，增强键合强度，同时Cu膨胀接触，消除间隙

服务内容：

*支持 8寸和 12寸

*支持CuSiO2和CuSiCN材料体系

*设备使用EVG Gemini设备 对准精度小于50nm

*我们可以进行 混合键合验证晶圆  TSV晶圆 TGV晶圆的定制加工 及混合键合。

交期：7天

加工能力一览表

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镀膜材料与工艺对照表