氮化硅光波导
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Product details
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2，包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2，包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2 宏观图
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2 宏观图
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，刻蚀选择比稳定达 1.5，6 英寸晶圆刻蚀均匀性＜3%，一致性强
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，刻蚀选择比稳定达 1.5，6 英寸晶圆刻蚀均匀性＜3%，一致性强
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，侧壁垂直度超 88°，形貌规整
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，侧壁垂直度超 88°，形貌规整
规格技术
Specification technology

电子束光刻与6寸DUV直接流片工艺参数表

硅光波导


硅光波导



SiN 光波导工艺偏差参数表


一、200nm SiN 工艺偏差

硅光波导


二、400nm SiN 工艺偏差

硅光波导


我们为您提供的氮化硅薄膜晶圆的 折射率和吸收数据 ：

（在下载目录按钮打包）

200nm SIN

ZJ-200nm-LPCVD+Annealing-SIN.txt

300nm SIN

ZJ-300nm-SINOI-LPCVD+Annealing.txt

400nm SIN

ZJ-400nm-LPCVD+Annealing-SIN.txt


加工能力一览表

光栅及超结构加工


为提高沟通效率，各类加工业务流程及必读信息

光栅及超结构加工


镀膜材料与工艺对照表

光栅及超结构加工


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