激光微纳线路调阻
激光微纳线路调阻
陶瓷激光切割钻孔设备
陶瓷激光切割钻孔设备
PCB激光切裂钻孔设备
PCB激光切裂钻孔设备
PCBA激光分板设备
PCBA激光分板设备
晶圆激光修复设备
晶圆激光修复设备
微纳激光加工服务
Micro-nano Laser Processing Service
数字链路烧断(Digital-Link)
数字链路烧断(Digital-Link)
薄膜电阻蛇形切割(Serpentine-Cut)
薄膜电阻蛇形切割(Serpentine-Cut)
压力传感器-NiCrSi-烧蚀,线宽-32μm
压力传感器-NiCrSi-烧蚀,线宽-32μm
5um链路精准切断
5um链路精准切断
传感器薄膜烧蚀:去除-SiO₂表层-NiCr-薄膜
传感器薄膜烧蚀:去除-SiO₂表层-NiCr-薄膜
电阻切割工艺:P 速快精度低,D 高精方阻弱,L 高精适配多方阻,M 电阻提升大;扫描修边可高压隔离、支持自定义。
电阻切割工艺:P 速快精度低,D 高精方阻弱,L 高精适配多方阻,M 电阻提升大;扫描修边可高压隔离、支持自定义。
陶瓷钻孔工艺效果,切割边缘品质优异,激光精切边缘光洁,构件断裂强度更高。
陶瓷钻孔工艺效果,切割边缘品质优异,激光精切边缘光洁,构件断裂强度更高。
可实现极小孔径,搭配灵活钻孔工艺,塑造理想微孔形貌。
可实现极小孔径,搭配灵活钻孔工艺,塑造理想微孔形貌。
激光划线显微截面:深-230μm,基材厚-650μm,轮廓规整、刻槽均匀,尺寸精度稳定。
激光划线显微截面:深-230μm,基材厚-650μm,轮廓规整、刻槽均匀,尺寸精度稳定。
相较传统-CO₂激光工艺,USPL-超短脉冲激光无熔融重铸、无毛刺,边缘截面更光洁,降本且提升良品率。
相较传统-CO₂激光工艺,USPL-超短脉冲激光无熔融重铸、无毛刺,边缘截面更光洁,降本且提升良品率。
相较传统-CO₂激光工艺,USPL-热影响区大幅更小,无裂纹、分层及脱落隐患,规避热应力损伤,提升长期使用可靠性。
相较传统-CO₂激光工艺,USPL-热影响区大幅更小,无裂纹、分层及脱落隐患,规避热应力损伤,提升长期使用可靠性。
SiC晶圆采用USPL超短脉冲冷加工,无熔融重铸与微裂纹,无热效应,板面光洁,器件电学性能稳定。
SiC晶圆采用USPL超短脉冲冷加工,无熔融重铸与微裂纹,无热效应,板面光洁,器件电学性能稳定。
10um开口孔径-7um底部孔径
10um开口孔径-7um底部孔径
20um开口孔径-15um底部孔径
20um开口孔径-15um底部孔径
25um开口孔径-20um底部孔径
25um开口孔径-20um底部孔径
标准 UV 化学固化易热积变形、边缘粗糙;皮秒激光冷加工无热损伤,边缘锐利、精度远高于 UV。
标准 UV 化学固化易热积变形、边缘粗糙;皮秒激光冷加工无热损伤,边缘锐利、精度远高于 UV。
单脉冲与序列脉冲钻孔适配高速量产,可精密加工微孔,效率高、孔形规整、一致性优异。
单脉冲与序列脉冲钻孔适配高速量产,可精密加工微孔,效率高、孔形规整、一致性优异。
环切适配 30µm 以上大孔径成型,可控孔壁锥度,提升孔壁光洁与精度,满足高端精密工艺要求。
环切适配 30µm 以上大孔径成型,可控孔壁锥度,提升孔壁光洁与精度,满足高端精密工艺要求。
FR4-1.6-mm,纳秒激光效果
FR4-1.6-mm,纳秒激光效果
PI-150-µm,皮秒激光效果
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铣刀切割与激光切割的工艺差距
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绿光纳秒激光,垂直于切割方向的显微图像,用于测量切口锥度角
绿光纳秒激光,垂直于切割方向的显微图像,用于测量切口锥度角
绿光纳秒激光,激光切割侧壁的显微图像
绿光纳秒激光,激光切割侧壁的显微图像
绿光纳秒激光,分板后材料顶部表面的显微图像(材料厚度0.8-mm)
绿光纳秒激光,分板后材料顶部表面的显微图像(材料厚度0.8-mm)
电阻切割工艺:P-切速快精度低;D-切高精低方阻;L-切高精适配多方阻;M-切电阻提升大;修边--扫描切支持高压隔离与自定义
电阻切割工艺:P-切速快精度低;D-切高精低方阻;L-切高精适配多方阻;M-切电阻提升大;修边--扫描切支持高压隔离与自定义
传感器薄膜烧蚀:去除-SiO₂表层-NiCr-薄膜
传感器薄膜烧蚀:去除-SiO₂表层-NiCr-薄膜
5um链路精准切断
5um链路精准切断
压力传感器-NiCrSi-烧蚀,线宽-32μm
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薄膜电阻蛇形切割(Serpentine-Cut)
薄膜电阻蛇形切割(Serpentine-Cut)
数字链路烧断(Digital-Link)
数字链路烧断(Digital-Link)