氮化硅光波导
氮化硅光波导
了解更多
铌酸锂光波导加工
铌酸锂光波导加工
了解更多
硅光波导
硅光波导
了解更多
6寸光子集成线路
氮化硅光波导
公司新闻
氮化硅光波导
Silicon Nitride Optical Waveguide
下载目录

展开    

收起

上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2，包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2，包覆性效果
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2 宏观图
上包层PECVD生长SiO2 ，PECVD生长800nmSiO2 宏观图
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，适配 200nm、400nm 规格刻蚀制程
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，刻蚀选择比稳定达 1.5，6 英寸晶圆刻蚀均匀性＜3%，一致性强
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，刻蚀选择比稳定达 1.5，6 英寸晶圆刻蚀均匀性＜3%，一致性强
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，侧壁垂直度超 88°，形貌规整
氮化硅（SiN）ICP 刻蚀成型，侧壁垂直度超 88°，形貌规整
铌酸锂光波导加工
公司新闻
铌酸锂光波导加工
LN-WG Fabrication
下载目录

展开    

收起

LN MOD带宽60Ghz
LN MOD带宽60Ghz
All-Pass微环Q值：1e6
All-Pass微环Q值：1e6
光栅耦合器损耗：8dB
光栅耦合器损耗：8dB
定向耦合器
定向耦合器
1×2MMI插损0.2dB
1×2MMI插损0.2dB
交叉波导损耗：0.02db
交叉波导损耗：0.02db
硅光波导
公司新闻
硅光波导
Silicon Optical Waveguide
下载目录

展开    

收起

微环调制器-带宽：30Ghz
微环调制器-带宽：30Ghz
交叉波导损耗：0.028db per 个
交叉波导损耗：0.028db per 个
加热电极：TiN热电极
加热电极：TiN热电极
电光开关消光比：45dB
电光开关消光比：45dB
All-Pass微环Q：10的5次方
All-Pass微环Q：10的5次方
1×2MMI插损：0.043dB per 端
1×2MMI插损：0.043dB per 端